Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Studium oxidových precipitátů v křemíku pomocí rtg difrakce
Autoři

CAHA Ondřej BERNATOVÁ Silvie MEDUŇA Mojmír SVOBODA Milan BURŠÍK Jiří

Rok publikování 2011
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj physica status solidi (a), Applied research
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova CZOCHRALSKI-GROWN SILICON; DIFFUSE-SCATTERING; DEFECTS
Popis Publikovány jsou výsledky studia oxidových precipitátů s použitím dvou metod rtg difrakce. Byl měřen difúzní rozptyl kolem Braggových difrakčních maxim série vzorků připravených různým dvoustupňovým žíháním. Bylo určeno deformační pole kolem precipitátů. Dále byla použita dynamická difrakce v Laueho uspořádání pro měření koncentrace defektů. Výsledky byly porovnány s měřením leptových důlků.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.