Assessing Carrier Recombination Processes in Type-II SiGe/Si(001) Quantum Dots

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

HACKL Florian GRYDLIK Martyna KLENOVSKÝ Petr SCHAEFFLER Friedrich FROMHERZ Thomas BREHM Moritz

Rok publikování 2019
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Annalen der Physik (Berlin)
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/andp.201800259
Doi http://dx.doi.org/10.1002/andp.201800259
Klíčová slova SiGe/Si;kvantove tecky;rekombinacni procesy;kp teorie
Popis In this work, it is shown how different carrier recombination paths significantly broaden the photoluminescence (PL) emission bandwidth observed in type-II self-assembled SiGe/Si(001) quantum dots (QDs). QDs grown by molecular beam epitaxy with very homogeneous size distribution, onion-shaped composition profile, and Si capping layer thicknesses varying from 0 to 1100 nm are utilized to assess the optical carrier-recombination paths. By using high-energy photons for PL excitation, electron-hole pairs can be selectively generated either above or below the QD layer and, thus, clearly access two radiative carrier recombination channels. Fitting the charge carrier capture-, loss- and recombination-dynamics to PL time-decay curves measured for different experimental configurations allows to obtain quantitative information of carrier capture-, excitonic-emission-, and Auger-recombination rates in this type-II nano-system.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.