Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Analýza vrstevných chyb epitaxního 3C-SiC na Si(001) hřebenech
Autoři	MEDUŇA Mojmír KREILIGER Thomas PRIETO Ivan MAUCERI Marco PUGLISI Marco MANCARELLA Fulvio LA VIA Francesco CRIPPA Danilo MIGLIO Leo VON KÄNEL Hans
Rok publikování	2016
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Materials Science Forum
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace
Doi	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	High-resolution X-ray diffraction; high-resolution scanning electron microscopy; electron backscatter diffraction; stacking faults; patterned Si substrates; heteroepitaxy; 3C-SiC
Popis	Vrstevné chyby (SFs) ve 3C-SiC vyrobeném epitaxně na hřebenech hluboce vyleptaných do Si(001) substrátu s ofcutem ve směru [110] byly kvantitativně analyzovány pomocí elektronové mikroskopie a rtg difrakce.
Související projekty:	CEITEC - středoevropský technologický institut NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery